キオクシアというのは少し投げやりな名前過ぎない？ まあいいけど
>>2
ギリシャ語と「記憶」を掛け合わせたらしいぞ
俺もどうでもいいが あっという間に陳腐化するからな
すごい業界だよ全く
２０％向上じゃ大したこと無いな。
半導体ってやっぱ、倍々ペースで進化しないと体感できん。
よくチョンはこういう業界に入り込んだもんだな
だれか日本人で手引きするものがいたからか
>>11 >>12
日韓議員連盟の議員と東芝の経営陣がリベートを貰って、韓国に技術援助した。
あと、東芝の現場技術者も、月額100万円貰って、サムソンの半導体工場で
土日に技術指導していた。
そして、中には、赤坂の韓国倶楽部で接待され、ハニートラップにひっかった
東芝の半導体関連の技術者もいた。 メモリーの容量や転送速度が上がるのはいいけど
それに伴って発熱が凄いんだよ
>>9
回路技術を最適化して記憶容量20%向上って言ってるけど、96層から112層にするだけで20%向上だしね。112層にしたのはすごいけど、どっちかっていうと積層技術の最適化じゃ無いのかな。 >>1
東芝内にいるスパイが朝鮮企業に情報を流して
すぐにコピーされる 計画だと120層じゃなかったけ？
積層のペースダウンしてるのかな
サムスンへのフラッシュメモリ製造技術無償供与した当時の取締役は刑法で裁かれるべきだろ
NANAO→EIZOも、アスロン→マラソンかよ?も、ダッセｗと思ったけどすぐ慣れたし、
キオクシアも慣れるんちゃうの。
それより2.5インチHDDの2TBが早く最終形態になって欲しいわ。
2TBで一応進歩の一息つくし。
>>27
積層はコストが高くなるのでもうメリットないかも説がいつものように浮上中 もう一年くらい容量単価下がってない
むしろ値上げしてる
1TB1万円を切る製品が増えれば一気にSSDが普及するんだけどな
112層ってどんな理由があるんだろう
(2^4)*7 だけど
キオクシーヤってふざけた名前つけよって 真面目にやれ
>>34
「もう一年くらい容量単価下がってない」
この文章に一年前に容量単価下落があったという意味が込められていることがわからないバカはレスするな 中途半端だな
もうちょっと頑張って128層にしろよ
>>40
実は128層あって歩留まり上げるためにリダンダダンシーになってるのかも 打ち止め感満載w
線幅物理限界だから、開発型メーカーはもうお終い。往生際悪いよw
後は、商社型メーカーの世界。
世界市場のことを考えると単に「KIOKU」で良かったんじゃね
キオクシアで問題がなかった（珍古とか漫湖とか雲古などの意味はない）なら
海外でも問題ないわけだし
まあ商標の問題があるかどうかわからないけどね
でもQLCは勘弁して
その先のPLCなんてもっての他
ケガレシアだった及川奈央さん
色々とお世話になってしまい、、、
すぐ売国だのなんだのと…
その技術者を不況を言い訳にしてピンハネ冷遇してたのはどこの誰だと。
東芝傘下でなくなり、資本投入され開発できるなんて、日本企業の経営者の無能さがわかる。
今なら、アイリスオーヤマ、京セラ、日本電産、ホンハイ、ソニー、ＮＥＣらに買収された方が幸せ。
積層が増えると歩留まり落ちるんだろうかね
ギリギリ妥協できるラインが112層だったとか？
>>63
東芝が握ってたらフラッシュメモリなんて発展しなかっただろうしなｗ
恐らく他の記憶媒体が主流になってただろう 東芝のSSDは一番耐久性低くて、それを公表したら訴訟圧力で公開を停止させられたね
>>70
正直言うと、最初期の頃の東芝のSSDは酷かったね
（あのピンク？のパッケージだったころ
上書きは出来なくなるし、壊れるしでまぁ散々だったね >>71
これの一つ前の64層ジャングルジムの時は
国が幾らか金出してたよね、確か >>63
いや、これは年次更新ぐらいの進化で親会社云々の話ではないよ。 >>2
しかし悔しいが一度で覚えてしまった。
まあ日本人以外には無意味だが。 容量上がるのにチップ容量512Gbitで出荷するということは歩留まりが悪いと推察される
まだ大チップで量産は難しいんだろうな
物理限界が来るのは随分前から見えてたのに、
「ともかく容量を増やす」為の3D化だけで、
抜本的な対策は結局何も取ってないのなw
抜本的な方針転換ができず、満州事変からズルズル太平洋戦争になだれ込み、
停戦も和平もできずに、流れで戦線を拡大し、そのまま流れで敗退し、
原爆を落とされるまで終戦を決断できなかった、
80年前の駄目っぷりと、日本の組織は何も変わってないw
次世代技術の開発はどこでもやってるけど、目処が立つまで
現有技術を積み重ねて凌ぐのは仕方ないっしょ
まあ、北上工場が本格稼働してからが、一つの勝負所だよな。
そして、来年、四日市の最新設備が稼働すれば、フラッシュ型汎用品については、
サムソンを凌駕することもありうるよ。
サムスンを超えるのは相当時間かかる
ピョンテク工場は四日市の5倍くらいの敷地あるし
肺炎ウイルスでサムスンの長安工場は動くのか？
ハイニクスの無錫ＤＲＡＭ工場の方がやばいかも。
北上工場稼働はＮＡＮＤ価格上昇局面でラッキーだろ。
なんて社名だよｗ
どうせこんな名前に決めるのはジジイだろうが
>>86
日本としては、地方経済活性化のためにも、
半導体素材や装置等の供給を書類審査で半年くらい遅延させて、
韓国半導体メーカーを弱体化させることをしようぜ。 その前に海外勢に依存してる業界が潰れるわ
既に装置やら材料でも日本の弱体化が
>>73
MLCのをいくつか使ってるけどうちのは一切壊れてないよ 東芝-WD連合の3D NAND、製品の量産にSamsungの技術を採用
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1223976.html
> ワード線の抵抗を下げるためにSamsungの技術を選択
> 上記のような経緯があるにも関わらず、東芝-WD連合は3D NANDフラッシュメモリの製品に、
> TCATと類似のメモリセル構造を採用していた。
> このことが正式に明らかになったのは、
> 2019年12月8日に開催された国際学会IEDMのショートコースだとみられる。
>
> Western Digital(WD)が3D NANDフラッシュ技術について講演し、
> 東芝がこれまで国際学会で公表してきたBiCS技術の構造ではなく、
> SamsungのTCAT技術と類似したメモリセル構造をスライドで示したのだ。
> TCAT技術と同様の「ゲートリプレイスメント」プロセスである。
> 窒化膜を除去してゲート絶縁膜を形成し、タングステン金属(ワード線)を埋め込んだ。
>
> ショートコースにおける講演直後の質疑応答では、
> WDの講演者は「すべての製品」でタングステン金属ゲートの「ゲートリプレイスメント」プロセスを採用していること、
> また書き込みと読み出しの性能を高めることが
> 「ゲートリプレイスメント」プロセスを選択した理由だと説明していた。
>
> ここで疑問となるのは「すべての製品」が何を意味するかだ。
> 東芝-WD連合が3D NANDフラッシュメモリの量産を本格的に開始したのは
> 64層の3D NAND製品(技術世代は「BiCS3」)から、時期としては2017年からなので、
> この世代からの可能性が高い。
> 2016年12月に東芝はアナリスト向け説明会で「BiCS3」技術の概要を公表している。
> このときに使われたスライドを再び眺めると、メモリセルの構造が「ゲートリプレイスメント」プロセスに見えるのだ。
>
>
> 東芝とWDの公表資料から見えるメモリセル構造の違い
>
> じつは、東芝-WD連合がSamsungの「ゲートリプレイスメント」プロセスと
> タングステン金属ゲートを製品に採用していることは、3年ほど前からフラッシュメモリ業界では噂になっていた。
> このことを東芝は、かなり意図的に隠してきたようだ。「採用していない」とはもちろん言わないが、
> 「採用している」とも公式には表明しない。
> 曖昧な状態が続いていた。 キオクシア、割といい名前だと思うし
ダサくもない。
>>101
だが、もう長くはないだろう。
生産工場として中華かアメリカ企業に売却される。 東芝のSSDは地雷
踏んだら死ぬ
業務では使いたくない
>>104
わしはボケてはおらん！
失敬な若造め！ 
