サムスン電子とSKハイニックスが中国にある工場で製造している半導体に関して、韓米経済安保フォーラムに出席した米商務省の産業安全保障担当次官が「製造できる半導体の水準に限度を設ける可能性が高い」と発言した。米国は昨年、半導体製造装置の中国輸出を禁止する際、サムスン電子・SKハイニックスの中国工場に対しては1年間の猶予措置を取った。担当次官のこの発言は、同フォーラムで「猶予期間が終了したら、その後はどうなるのか」という質問を受けてのものだ。
サムスン電子は現在、NAND型フラッシュメモリの40%を中国・西安工場で、SKハイニックスはDRAM半導体の40%を中国・無錫工場で製造している。今は米国が提示した基準以下の製品を製造しているが、問題は今後のことだ。半導体産業の特性上、製造装置をアップグレードし続けなければ製品競争力が維持できず、収益も上がらないためだ。専門家らは「今後3-5年以内に中国工場での半導体製造を中止しなければならない状況になる」と考えている。
米政府は同国の補助金を受け取っている半導体製造企業に対して10年間、中国に半導体製造ラインを新設・増設できないようにする方針だ。米国に170億ドル(約2兆3200億円)を投資してファウンドリ(半導体受託製造)工場を建設するサムスンと半導体研究開発センター、先端パッケージング工場を推進中のSKハイニックスが補助金を受け取れば、この規制の対象となる。既に日本やオランダも半導体製造装置の中国輸出について中止を決めている。
韓国の半導体は40%が中国に輸出されている。政府と企業は対米通商外交チャンネルを総動員し、中国工場の稼働年限を最大限延長する解決策を模索しているが、中国工場撤退に備える「プランB(代替案)」も用意しなければならない。韓国政界は半導体支援法を一日も早く通過させ、半導体製造企業の国内新規投資を最大限支援すべきだ。半導体産業の競争力維持は企業の生き残りはもちろん、韓国経済の生き残り、ひいては大韓民国の安泰にかかわる問題だ。
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版
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